بيت > منتجات > سيراميك > كربيد السيليكون (SiC) > المجاذيف الكابولية SiSiC
منتجات
المجاذيف الكابولية SiSiC

المجاذيف الكابولية SiSiC

المجاذيف الكابولية Semicorex SiSiC، هي مكونات هيكلية ناتئة عالية الأداء، والتي تستخدم على نطاق واسع في أنظمة تحميل رقائق أشباه الموصلات وعمليات تصنيع الخلايا الكهروضوئية. الشراكة مع Semicorex لتأمين الحلول المثالية لبيئات العمل القاسية ذات درجات الحرارة المرتفعة والتآكل القوي والأحمال الثقيلة.

إرسال استفسار

وصف المنتج

تُستخدم عادةً المجاذيف الكابولية Semicorex SiSiC، وهي الأجزاء الداعمة التي يمكن الاعتماد عليها، لدعم الوضع الأفقيقوارب الويفرورقائقها الداخلية وتسهيل نقلها بسلاسة داخل وخارج أنابيب الفرن. ويعزى أدائها المتفوق إلى اختيار المواد الصارمة لشركة Semicorex وتكنولوجيا المعالجة الناضجة.



خصائص المواد ممتازة


باستخدام مواد خام كربيد السيليكون عالية النقاء من درجة أشباه الموصلات، Semicorexالمجاذيف الكابولية SiSiCتقديم العديد من خصائص المواد الممتازة المدرجة أدناه:


1. نقاء المواد عالي جدًا—— تجنب خطر المجاذيف الكابولية SiSiC التي تولد الشوائب التي تلوث الرقائق ومكونات الفرن الأخرى أثناء التشغيل.


2. قوة ميكانيكية قوية—— تتميز بقوة انثناء رائعة ومتانة كسر للحفاظ على السلامة الهيكلية الموثوقة حتى عند تعرضها للأحمال الثقيلة.


3. أداء متفوق للإدارة الحرارية—— أداء ثابت عند 1250 درجة مئوية ويتحمل ظروف العمل السريعة للتدفئة والتبريد دون تشوه أو تشقق.


4. مقاومة رائعة للتآكل—— إظهار مقاومة رائعة للتآكل الكيميائي ويمكن أن يتحمل بشكل فعال التنظيف الحمضي القوي.




معلمات المواد


البيانات الفنية للسيليكون المرتبط بالتفاعل (SiSiC).
محتوى كربيد السيليكون % > 85
الكثافة الظاهرية كجم/دم3 >3.02
المسامية الظاهرة المجلد % <0.1
صلابة فيكرز HV0.5 المعدل التراكمي 26.1
معامل التمزق (3 نقاط) 20 درجة مئوية MPa 240
قوة الضغط 20 درجة مئوية MPa 1696
معامل المرونة 20 درجة مئوية المعدل التراكمي 327
صلابة الكسر ميجا باسكال / م1/2 2.73
الموصلية الحرارية 20 درجة مئوية ث / (م * ك) 219
المقاومة الكهربائية 20 درجة مئوية مΩ .سم 2.5
معامل التمدد الحراري درجة حرارة الغرفة إلى 1300 درجة مئوية ك-1*10-6 3.14-4.56
الأعلى. درجة حرارة التطبيق الغلاف الجوي للأكسيد / الغلاف الجوي الخامل درجة مئوية 1350

البيانات المذكورة أعلاه هي للإشارة فقط




عمليات التصنيع المتقدمة


1. تشكيل الطباعة ثلاثية الأبعاد—— تحقيق صب قطعة واحدة من SiSiC لضمان أبعاد عالية الدقة وتكرار مستقر للإنتاج الضخم.


2. تلبد رد فعل ارتفاع درجة الحرارة—— إنشاء هيكل داخلي كثيف في أجسام المجداف الكابولية عند درجات حرارة تتراوح بين 1600-1700 درجة مئوية.


3. معالجة طلاء CVD SiC—— تغطية طبقة موحدة وكثيفة على سطح المجاذيف الكابولية لزيادة متانتها.




الأسئلة المتداولة


1. هل تدعم التصنيع المخصص؟

يدعم Semicorex التخصيص ويمكنه تصنيع المجاذيف الكابولية بناءً على رسوماتك.


2. ما هي المعلومات التي تساعد في تقديم عرض أسعار سريع؟

الرسومات الفنية ومتطلبات المواد وبيئة العمل والكميات المطلوبة.


3. ما هو وقت التسليم؟

يتراوح وقت التسليم عادة من 30 إلى 60 يومًا، ويعتمد ذلك على كمية الشراء وجدول الإنتاج لدينا.


الكلمات الساخنة: المجاذيف الكابولية SiSiC، الصين، المصنعين، الموردين، المصنع، حسب الطلب، السائبة، المتقدمة، دائم
الفئة ذات الصلة
إرسال استفسار
لا تتردد في تقديم استفسارك في النموذج أدناه. سوف نقوم بالرد عليك خلال 24 ساعة.
X
نحن نستخدم ملفات تعريف الارتباط لنقدم لك تجربة تصفح أفضل، وتحليل حركة مرور الموقع، وتخصيص المحتوى. باستخدام هذا الموقع، فإنك توافق على استخدامنا لملفات تعريف الارتباط. سياسة الخصوصية
يرفض يقبل