aln واحد رقاقة البلورة

Semicorex ALN Crystal Wefer هو تقدم ثوري في تقنية أشباه الموصلات ، ويوفر مزيجًا فريدًا من الخصائص الكهربائية والحرارية والميكانيكية الاستثنائية. باعتبارها مادة أشباه الموصلات في نطاق الغلاف الشامل مع وجود فجوة النطاق 6.2 فولت ، يتم التعرف على ALN بشكل متزايد كركيزة مثالية للأجهزة الإلكترونية العالية ، وعالية التردد ، والأشعة فوق البنفسجية العميقة (UV). تضع هذه الخصائص ALN كبديل متفوق للركائز التقليدية مثل الياقوت ، كربيد السيليكون (SIC) ، ونيتريد الغاليوم (GAN) ، وخاصة في التطبيقات التي تتطلب الاستقرار الحراري الشديد ، والجهد العالي للفرق ، والتوصيل الحراري المتفوق.

في الوقت الحاضر ، يتوفر ALN Single Crystal Wefer تجاريًا بأحجام تصل إلى 2 بوصة. مع استمرار جهود البحث والتطوير ، من المتوقع أن تتيح التقدم في تقنيات نمو البلورات أحجامًا أكبر للرقاقة ، مما يعزز قابلية التوسع في الإنتاج وتقليل تكاليف التطبيقات الصناعية.

على غرار النمو الكريستالي الفردي SIC ، لا يمكن زراعة البلورات المفردة ALN بواسطة طريقة الذوبان ولكن لا يمكن زراعتها إلا عن طريق نقل البخار المادي (PVT).

هناك ثلاث استراتيجيات نمو مهمة لنمو Aln Crystal Pvt:

1) نمو النواة التلقائي

2) النمو غير المتجانس على الركيزة 4H-/6H SIC

3) النمو المثلي

يتميز ALN الفردي بيفر من خلال فجوة النطاق الفائقة في جميع أنحاء العالم من 6.2 فولت ، مما يضمن عزلًا كهربائيًا استثنائيًا وأداء UV العميق الذي لا مثيل له. تفتخر هؤلاء الرقاقات بحقل كهربائي عالي الانهيار يتجاوز الحقل الذي يتجاوز حقل SIC و GAN ، ويضعهما كخيار الأمثل للأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة. مع الموصلية الحرارية المثيرة للإعجاب حوالي 320 واط/الكك حتى ، فإنها تضمن تبديد حرارة فعالة ، وهو متطلب حاسم للتطبيقات عالية الطاقة. ALN ليس مستقرًا كيميائيًا وحراريًا فحسب ، بل يحافظ أيضًا على أداء أعلى في البيئات القاسية. إن مقاومة الإشعاع المتفوقة تجعلها خيارًا لا مثيل له للتطبيقات النووية والتطبيقات النووية. علاوة على ذلك ، فإن خصائصها الكهروإجهادية الرائعة ، وسرعة المنشار العالي ، والاقتران الكهروميكانيكي القوي ، تنشئها كمرشح رائع لأجهزة المنشار والمرشحات والمستشعرات على مستوى GHZ.

يجد Aln Single Crystal Wefer تطبيقات واسعة في مختلف الأجهزة الإلكترونية والبصرية العالية الأداء. إنها بمثابة الركيزة المثالية للإلكترونات الضوئية للأشعة فوق البنفسجية العميقة (DUV) ، بما في ذلك LEDs العميقة للأشعة فوق البنفسجية التي تعمل في نطاق 200-280 نانومتر للتعقيم ، وتنقية المياه ، والتطبيقات الطبية الحيوية ، وكذلك ثنائيات الليزر الأشعة فوق البنفسجية (LDS) المستخدمة في الحقول الصناعية والطبية المتقدمة. يستخدم ALN أيضًا على نطاق واسع في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة وعالية التردد ، وخاصة في التردد الراديوي (RF) ومكونات الميكروويف ، حيث يضمن جهده العالي والتشتت الإلكترون المنخفض الأداء المتفوق في مضخمات الطاقة وأنظمة الاتصال. بالإضافة إلى ذلك ، فإنه يلعب دورًا مهمًا في إلكترونيات الطاقة ، مما يعزز كفاءة المحولات والمحولات في السيارات الكهربائية وأنظمة الطاقة المتجددة وتطبيقات الطيران. علاوة على ذلك ، فإن خصائص Piezoelectric الممتازة من Aln وسرعة المنشار العالية تجعلها مادة مثالية للأجهزة الصوتية السطحية (SAW) وأجهزة الموجة الصوتية السائبة (BAW) ، والتي تعد ضرورية للاتصالات السلكية واللاسلكية ، ومعالجة الإشارات ، وتقنيات الاستشعار. نظرًا لتوصيله الحراري الاستثنائي ، يعد ALN أيضًا مادة رئيسية في حلول الإدارة الحرارية لمصابيح LED عالية الطاقة ، وثنائيات الليزر ، والوحدات الإلكترونية ، مما يوفر تبديدًا فعالًا للحرارة وتحسين عمر الجهاز.

يمثل الرقف الكريستالي المنفرد Semicorex ALN مستقبل ركائز أشباه الموصلات ، حيث يقدم خصائص كهربائية لا مثيل لها والحرارية والكهفيرة. إن تطبيقاتها في أجهزة إلكترونيات صوتية للأشعة فوق البنفسجية ، وإلكترونيات الطاقة ، وأجهزة الموجة الصوتية تجعلها مادة مطلوبة للغاية لتكنولوجيا الجيل التالي. مع استمرار إمكانات التصنيع في التحسن ، ستصبح رقائق Aln مكونًا لا غنى عنه لأجهزة أشباه الموصلات عالية الأداء ، مما يمهد الطريق للتقدم المبتكرة عبر صناعات متعددة.