In CVD equipment, epitaxial deposition cannot be performed directly on metal or simply on a base, as this would be affected by various factors. Therefore, a susceptor is required. The substrate is placed on a tray, and epitaxial deposition is then performed on it using CVD technology. This susceptor is a silicon carbide-coated graphite susceptor (also called a wafer holder).
The graphite susceptor is a core component of MOCVD equipment, serving as both a carrier and a heat source for the substrate. Its performance parameters, such as thermal stability and thermal uniformity, determine the uniformity and purity of the thin film material. Therefore, its quality directly impacts epitaxial wafer production. Furthermore, it is highly susceptible to wear and tear with increased use and changes in operating conditions, making it a high-frequency consumable.
However, pure graphite susceptors can corrode and shed, significantly reducing their service life. Furthermore, fallen graphite powder can contaminate the chip. Coating technology, which provides surface powder fixation, enhanced thermal conductivity, and balanced heat distribution, has become a mainstream solution.
Silicon carbide (SiC) boasts numerous excellent properties, including high thermodynamic stability, excellent thermal conductivity, high electron mobility, oxidation and corrosion resistance, and a thermal expansion coefficient similar to that of graphite. It is the preferred material for graphite susceptor surface coatings.
The wafer susceptor is one of the most critical components in silicon epitaxial growth equipment. It supports silicon wafers and, under high-temperature induction or resistance heating, decomposes and deposits the reactant gases on the wafer surface, forming the epitaxial layer. Because of direct contact with high temperatures and reactant gases, Semicorex wafer susceptors utilize a high-purity graphite base and are SiC-coated to extend service life and maintain high purity.
تم تصميم حاملة الرقائق المصنوعة من الجرافيت المطلية بطبقة SiC من Semicorex لتوفير معالجة موثوقة للرقاقات أثناء عمليات النمو الفوقي لأشباه الموصلات، مما يوفر مقاومة لدرجات الحرارة العالية وموصلية حرارية ممتازة. بفضل تكنولوجيا المواد المتقدمة والتركيز على الدقة، توفر Semicorex أداءً فائقًا ومتانة، مما يضمن النتائج المثالية لتطبيقات أشباه الموصلات الأكثر تطلبًا.*
اقرأ أكثرإرسال استفساريُعد حامل رقاقات الجرافيت المطلي بطبقة SiC من Semicorex مكونًا عالي الأداء مصممًا للتعامل الدقيق مع الرقاقات في عمليات نمو أشباه الموصلات. تضمن خبرة Semicorex في المواد المتقدمة والتصنيع أن منتجاتنا توفر موثوقية ومتانة وتخصيصًا لا مثيل له لإنتاج أشباه الموصلات الأمثل.*
اقرأ أكثرإرسال استفسارتم تصميم جهاز استقبال الويفر Semicorex خصيصًا لعملية تنضيد أشباه الموصلات. إنه يلعب دورًا حيويًا في ضمان دقة وكفاءة التعامل مع الرقاقات. نحن مؤسسة رائدة في صناعة أشباه الموصلات الصينية، ونلتزم بتزويدك بأفضل المنتجات والخدمات.*
اقرأ أكثرإرسال استفساريعد حامل رقاقة Semicorex عنصرًا حاسمًا في تصنيع أشباه الموصلات ويلعب دورًا رئيسيًا في ضمان التعامل الدقيق والفعال مع الرقائق أثناء عملية الفوقية. نحن ملتزمون بشدة بتقديم منتجات عالية الجودة بأسعار تنافسية ونتطلع إلى بدء عمل تجاري معك.*
اقرأ أكثرإرسال استفساريعتبر Semicorex GaN-on-Si Epi Wafer Chuck عبارة عن حامل ركيزة مصمم بدقة مصمم خصيصًا لمعالجة ومعالجة نيتريد الغاليوم على رقائق السيليكون الفوقي. تلتزم Semicorex بتوفير منتجات عالية الجودة بأسعار تنافسية، ونحن نتطلع إلى أن نصبح شريكك على المدى الطويل في الصين.
اقرأ أكثرإرسال استفساريعد Semicorex Barrel Susceptor مع طلاء SiC حلاً متطورًا مصممًا لرفع كفاءة ودقة العمليات الفوقي للسيليكون. تم تصميم هذا البرميل Susceptor المزود بطبقة SiC بعناية فائقة للتفاصيل، لتلبية المتطلبات المطلوبة لتصنيع أشباه الموصلات، حيث يعمل كحامل الرقاقة الأمثل ويسهل النقل السلس للحرارة إلى الرقائق. تلتزم Semicorex بتوفير منتجات عالية الجودة بأسعار تنافسية، ونحن نتطلع إلى أن نصبح شريكك على المدى الطويل في الصين.
اقرأ أكثرإرسال استفسار