تعد تقنية معالجة SiC لترسيب البخار الكيميائي (CVD) ضرورية لتصنيع إلكترونيات الطاقة عالية الأداء، مما يتيح النمو الفوقي الدقيق لطبقات كربيد السيليكون عالية النقاء على رقائق الركيزة. ومن خلال الاستفادة من فجوة النطاق الواسعة والتوصيل الحراري الفائق لـ SiC، تنتج هذه التقنية مكونات قادرة على العمل بجهد ......
اقرأ أكثرفي عملية ترسيب البخار الكيميائي (CVD)، تشتمل الغازات المستخدمة بشكل أساسي على الغازات المتفاعلة والغازات الحاملة. توفر الغازات المتفاعلة ذرات أو جزيئات للمادة المترسبة، بينما تستخدم الغازات الحاملة لتخفيف بيئة التفاعل والتحكم فيها. فيما يلي بعض غازات الأمراض القلبية الوعائية شائعة الاستخدام:
اقرأ أكثرتحتوي سيناريوهات التطبيق المختلفة على متطلبات أداء مختلفة لمنتجات الجرافيت، مما يجعل الاختيار الدقيق للمواد خطوة أساسية في تطبيق منتجات الجرافيت. إن اختيار مكونات الجرافيت ذات الأداء المطابق لسيناريوهات التطبيق لا يؤدي فقط إلى إطالة عمر الخدمة بشكل فعال وتقليل تكرار الاستبدال والتكاليف، ولكنه يساعد ......
اقرأ أكثرقبل مناقشة تقنية عملية ترسيب البخار الكيميائي (CVD) باستخدام كربيد السيليكون (Sic)، دعنا نراجع أولاً بعض المعرفة الأساسية حول "ترسيب البخار الكيميائي". يعد ترسيب البخار الكيميائي (CVD) تقنية شائعة الاستخدام لتحضير الطلاءات المختلفة. وهو يتضمن ترسيب المواد المتفاعلة الغازية على سطح الركيزة تحت ظرو......
اقرأ أكثرالمجال الحراري لنمو البلورة المفردة هو التوزيع المكاني لدرجة الحرارة داخل فرن درجة الحرارة العالية أثناء عملية نمو البلورة المفردة، مما يؤثر بشكل مباشر على الجودة ومعدل النمو ومعدل تكوين البلورة للبلورة المفردة. يمكن تقسيم المجال الحراري إلى أنواع الحالة الثابتة والعابرة. المجال الحراري ذو الحالة ال......
اقرأ أكثر