رقاقة SiC الصين مصنعون وموردون ومصنعون

شريحة رقيقة من مادة شبه موصلة تسمى رقاقة ، وهي مكونة من مادة بلورية مفردة نقية للغاية. في عملية تشوكرالسكي ، تُصنع سبيكة أسطوانية من أشباه موصلات أحادية البلورية شديدة النقاء عن طريق سحب بلورة بذرة من المصهور.

لقد كان كربيد السيليكون (SiC) وأنواعه المتعددة جزءًا من الحضارة الإنسانية لفترة طويلة ؛ تم تحقيق الفائدة الفنية لهذا المركب الصلب والمستقر في عامي 1885 و 1892 من قبل Cowless و Acheson لأغراض الطحن والقطع ، مما أدى إلى تصنيعه على نطاق واسع.

تجعل الخصائص الفيزيائية والكيميائية الممتازة من كربيد السيليكون (SiC) مرشحًا بارزًا لمجموعة متنوعة من التطبيقات ، بما في ذلك الأجهزة ذات درجات الحرارة العالية والطاقة العالية والتردد العالي والإلكترونيات الضوئية ، والمكون الهيكلي في مفاعلات الاندماج ، ومواد الكسوة للتبريد بالغاز مفاعلات الانشطار ومصفوفة خاملة لتحويل البلوتونيوم. تم استخدام أنواع متعددة مختلفة من SiC مثل 3C و 6 H و 4 H على نطاق واسع. غرس الأيونات هو تقنية مهمة لإدخال المنشطات بشكل انتقائي لإنتاج الأجهزة القائمة على Si ، لتصنيع رقائق SiC من النوع p و n.

السبيكةثم يتم تقطيعها إلى شرائح لتشكيل رقائق كربيد السيليكون كربيد.

خصائص مادة كربيد السيليكون

أنواع مختلفة من رقائق SiC

هناك ثلاثة أنواع:n- نوع كذا رقاقة, رقاقة كذا من النوع pورقاقة سيك شبه عازلة عالية النقاء. تشير المنشطات إلى غرس الأيونات الذي يُدخل الشوائب إلى بلورة السيليكون. تسمح هذه الإشابات للذرات البلورية بتكوين روابط أيونية ، مما يجعل البلورة الجوهرية خارجية. تقدم هذه العملية نوعين من الشوائب ؛ نوع N و P. تعتمد "النوع" على المواد المستخدمة لإنشاء التفاعل الكيميائي. الفرق بين رقاقة SiC من النوع N و P-type هو المادة الأولية المستخدمة لإنشاء تفاعل كيميائي أثناء تعاطي المنشطات. اعتمادًا على المادة المستخدمة ، سيكون للمدار الخارجي خمسة أو ثلاثة إلكترونات ، مما يجعل واحدًا سالبًا (نوع N) وواحدًا موجب الشحنة (نوع P).

تُستخدم رقائق SiC من النوع N بشكل أساسي في مركبات الطاقة الجديدة ، ونقل الجهد العالي والمحطة الفرعية ، والسلع البيضاء ، والقطارات عالية السرعة ، والمحركات ، والمحولات الكهروضوئية ، وإمدادات الطاقة النبضية ، وما إلى ذلك ، ولها مزايا تقليل فقد طاقة المعدات ، وتحسين موثوقية المعدات ، وتقليل حجم المعدات وتحسين أداء المعدات ، ولها مزايا لا يمكن الاستغناء عنها في صنع الأجهزة الإلكترونية للطاقة.

يتم استخدام رقاقة SiC شبه العازلة عالية النقاء بشكل أساسي كركيزة لأجهزة RF عالية الطاقة.

Epitaxy - ترسب نيتريد III-V

SiC و GaN و AlxGa1-xN و InyGa1-yN طبقات فوقية على ركيزة SiC أو ركيزة من الياقوت.