الركيزة كربيد السيليكون الصين مصنعون وموردون ومصنعون

تسمى الشريحة الرقيقة من مادة أشباه الموصلات بالرقاقة، وهي مكونة من مادة أحادية البلورة نقية جدًا. في عملية Czochralski، يتم تصنيع سبيكة أسطوانية من شبه موصل أحادي البلورة عالي النقاء عن طريق سحب بلورة بذرة من مادة مصهورة.

لقد كان كربيد السيليكون (SiC) وأنواعه المتعددة جزءًا من الحضارة الإنسانية لفترة طويلة؛ تم تحقيق الاهتمام الفني بهذا المركب الصلب والمستقر في عامي 1885 و1892 من قبل كاولس وأتشيسون لأغراض الطحن والقطع، مما أدى إلى تصنيعه على نطاق واسع.

الخصائص الفيزيائية والكيميائية الممتازة تجعل من كربيد السيليكون (SiC) مرشحًا بارزًا لمجموعة متنوعة من التطبيقات، بما في ذلك الأجهزة ذات درجة الحرارة العالية والطاقة العالية والتردد العالي والأجهزة الإلكترونية الضوئية، وهو مكون هيكلي في مفاعلات الاندماج، ومواد تكسية لتبريد الغاز. مفاعلات انشطارية، ومصفوفة خاملة لتحويل البلوتونيوم. تم استخدام أنواع متعددة مختلفة من SiC مثل 3C و6H و4H على نطاق واسع. يعد زرع الأيونات تقنية حاسمة لإدخال المنشطات بشكل انتقائي لإنتاج الأجهزة المستندة إلى Si، لتصنيع رقائق SiC من النوع p وn.

السبيكةثم يتم تقطيعها إلى شرائح لتشكيل رقائق كربيد السيليكون.

خصائص مادة كربيد السيليكون

أنواع مختلفة من رقائق SiC

هناك ثلاثة أنواع:رقاقة سيك من النوع n, p-نوع رقاقة سيكورقاقة سيك شبه عازلة عالية النقاء. يشير المنشطات إلى زرع الأيونات الذي يدخل الشوائب إلى بلورة السيليكون. تسمح هذه المنشطات لذرات البلورة بتكوين روابط أيونية، مما يجعل البلورة الجوهرية خارجية. تقدم هذه العملية نوعين من الشوائب؛ النوع N والنوع P. يعتمد "النوع" الذي يصبح عليه على المواد المستخدمة لإنشاء التفاعل الكيميائي. الفرق بين رقاقة SiC من النوع N والنوع P هو المادة الأولية المستخدمة لإنشاء التفاعل الكيميائي أثناء المنشطات. اعتمادًا على المادة المستخدمة، سيحتوي المدار الخارجي على خمسة أو ثلاثة إلكترونات، مما يشكل واحدًا سالب الشحنة (النوع N) والآخر موجب الشحنة (النوع P).

تُستخدم رقائق SiC من النوع N بشكل أساسي في مركبات الطاقة الجديدة، ومحطات نقل الجهد العالي والمحطات الفرعية، والسلع البيضاء، والقطارات عالية السرعة، والمحركات، ومحولات الطاقة الكهروضوئية، وإمدادات الطاقة النبضية، وما إلى ذلك. ولديها مزايا تقليل فقدان طاقة المعدات، وتحسين موثوقية المعدات، وتقليل حجم المعدات وتحسين أداء المعدات، ولها مزايا لا يمكن الاستغناء عنها في صنع الأجهزة الإلكترونية للطاقة.

يتم استخدام رقاقة SiC شبه العازلة عالية النقاء بشكل أساسي كركيزة لأجهزة RF عالية الطاقة.

Epitaxy - ترسيب النتريد III-V

الطبقات الفوقية SiC و GaN و AlxGa1-xN و InyGa1-yN على الركيزة SiC أو الركيزة الياقوتية.