رقاقة SOI الصين مصنعون وموردون ومصنعون

يمكن لشركة Semicorex أن تزود العملاء بمجموعة واسعة من المواصفات ورقائق SOI عالية الجودة (Silicon On Insulator - Silicon on Insulator) لمجموعة واسعة من تطبيقات العملاء بما في ذلك MEMS، وأجهزة الطاقة، وأجهزة استشعار الضغط، وتصنيع الدوائر المتكاملة CMOS. تقدم رقائق SOI حلاً جيدًا للأجهزة عالية السرعة ومنخفضة الطاقة وتعتبر على نطاق واسع حلاً جديدًا للأجهزة ذات الجهد العالي والترددات اللاسلكية. رقائق SOI عبارة عن هيكل يشبه الساندويتش (ساندويتش) مع ثلاث طبقات؛ بما في ذلك الطبقة العليا (طبقة الجهاز)، وطبقة الأكسجين المدفونة الوسطى (لعزل طبقة SiO2)، والركيزة السفلية (السيليكون السائب). يتم إنتاج رقائق SOI باستخدام طريقة SIMOX وتقنية ربط الرقاقات، والتي تسمح بطبقات جهاز أرق وأكثر دقة، وتوحيد سمك موحد، وكثافة عيوب منخفضة، من بين أهداف أخرى.

توفر Semicorex رقائق SOI بأقطار 6 و8 و12 بوصة ومجموعة واسعة من المقاومة تتراوح من 0.001 إلى 100000 أوم سم، ومجموعة واسعة من سماكات طبقة الجهاز من 100 نانومتر (1000Å) إلى 300um لتلبية SOI الفريد متطلبات العديد من العملاء.

بناءً على الطلب المتنوع والقوي من عملائنا، يمكننا توفير رقائق SOI مخصصة.