دليل الخاتم

حلقة دليل Semicorex هي مكون حاسم في فرن النمو الكريستالي المفرد SIC (SIC) ، مصمم لتحسين بيئة نمو البلورة. يتم تصنيع حلقة دليل الدليل عالي الأداء من الجرافيت عالي النقاء وتتميز بأمراض CVD الحديثة (ترسيب البخار الكيميائي)طلاء Tantalum Carbide (TAC). يضمن مزيج هذه المواد المتانة الفائقة والاستقرار الحراري ومقاومة الظروف الكيميائية والفيزيائية المتطرفة.

المواد والطلاء

المادة الأساسية لخاتم الدليل هي الجرافيت عالي النقاء ، ويتم اختيارها لموصلها الحراري الممتاز ، والقوة الميكانيكية ، والاستقرار في درجات حرارة عالية. ثم يتم طلاء الركيزة الجرافيتية بطبقة كثيفة موحدة من كربيد tantalum باستخدام عملية CVD متقدمة. تشتهر Tantalum Carbide بصلابةها الاستثنائية ، ومقاومة الأكسدة ، والختام الكيميائي ، مما يجعلها طبقة واقية مثالية لمكونات الجرافيت تعمل في بيئات قاسية.

إن مواد أشباه الموصلات الواسعة للجيل الثالث من الجيل الثالث ممثلة بنيتريد غاليوم (GAN) وكربيد السيليكون (SIC) لديها إمكانيات ممتازة لإرسال الكهرضجة وقدرات نقل إشارة الميكروويف ، ويمكنها تلبية احتياجات الأجهزة الإلكترونية عالية التردد وعالية الحرارة وعالية القدرة والرائعة. لذلك ، لديهم آفاق تطبيقات واسعة في مجالات الاتصالات المتنقلة الجديدة ، ومركبات الطاقة الجديدة ، والشبكات الذكية والمصابيح LED. يتطلب التطوير الشامل للجيل الثالث من سلسلة صناعة أشباه الموصلات بشكل عاجل اختراقات في التقنيات الأساسية الرئيسية ، والتقدم المستمر لتصميم الأجهزة والابتكار ، وحل اعتماد الاستيراد.

من الصعب تلبية نمو رقاقة كربيد السيليكون على سبيل المثال ، مواد الجرافيت والمواد المركبة للكربون الكربوني في مواد المجال الحراري في 2300 ℃. لا يقتصر الأمر على حياة الخدمة قصيرة ، يتم استبدال أجزاء مختلفة من كل أفران إلى عشرة أفران ، ويمكن أن يؤدي التسلل وتطاير الجرافيت في درجات حرارة عالية بسهولة إلى عيوب بلورية مثل شوائب الكربون. من أجل ضمان النمو العالي الجودة والمستقرة لبلورات أشباه الموصلات ، والنظر في تكلفة الإنتاج الصناعي ، يتم تحضير الطلاء الخزفي المقاوم للتآكل عالية الحرارة على سطح أجزاء الجرافيت ، مما سيؤدي إلى إطالة عمر مكونات الجرافيت ، ويمنع هجرة الشوائب وتحسين النقاء البلوري. في النمو الفوقي لكربريد السيليكون ، عادةً ما يتم استخدام حسس الجرافيت المغطى بالكربيد السيليكون لدعم وتسخين الركيزة البلورية المفردة. لا يزال يتعين تحسين عمر الخدمة ، ويجب تنظيف رواسب كربيد السيليكون على الواجهة بانتظام. في المقابل،طلاء Tantalum Carbide (TAC)أكثر مقاومة للأجواء المسببة للتآكل ودرجة الحرارة العالية ، وهي التكنولوجيا الأساسية لـ "نمو وسمك وجودة" من بلورات SIC هذه.

عندما يتم تحضير SIC بواسطة نقل البخار المادي (PVT) ، تكون بلورة البذور في منطقة درجة حرارة منخفضة نسبيًا ، والمواد الخام SIC في منطقة درجة حرارة عالية نسبيًا (أعلى من 2400 ℃). تتحلل المادة الخام لإنتاج ستة (تحتوي بشكل أساسي على Si ، sic₂ ، Si₂c ، وما إلى ذلك) ، ويتم نقل مادة طور الغاز من منطقة درجة الحرارة المرتفعة إلى بلورة البذور في منطقة درجة الحرارة المنخفضة ، والنواة وتنمو لتشكيل بلورة واحدة. يجب أن تكون مواد الحقل الحراري المستخدمة في هذه العملية ، مثل Crucible ، RINGER RING ، وحامل البلورة البذور ، مقاومة لدرجات الحرارة العالية ولن تلوث المادة الخام SIC والبلورة المفردة. تعد SIC و ALN التي تم إعدادها باستخدام مواد المجال الحرارية المغلفة بالجرافيت المغلفة TAC أنظفًا ، مع عدم وجود شوائب مثل الكربون (الأكسجين ، النيتروجين) ، وعيوب أقل من الحافة ، ومقاومة أصغر في كل منطقة ، وتقليل كثافة micropore بشكل كبير وكثافة حفرة الحفر (بعد حفر KOH) بشكل كبير جودة البلورة. بالإضافة إلى ذلك ، فإن معدل فقدان الوزن في بوتقة TAC هو صفر تقريبًا ، والمظهر سليم ، ويمكن إعادة تدويره ، مما يمكن أن يحسن من استدامة وكفاءة هذا التحضير الكريستالي المفرد.