طرق نمو كريستال AlN

AlN، باعتباره مادة شبه موصلة من الجيل الثالث، ليس فقط مادة مهمة للضوء الأزرق والأشعة فوق البنفسجية، ولكنه أيضًا مادة تعبئة مهمة وعزل عازل ومواد عازلة للأجهزة الإلكترونية والدوائر المتكاملة، ومناسب بشكل خاص للأجهزة ذات درجة الحرارة العالية والطاقة العالية . بالإضافة إلى ذلك، يتمتع AlN وGaN بتوافق حراري جيد وتوافق كيميائي، ويمكن أن يقلل AlN المستخدم كركيزة الفوقي GaN، بشكل كبير من كثافة الخلل في أجهزة GaN، ويحسن أداء الجهاز.

نظرًا لآفاق التطبيق الجذابة، فقد حظي إعداد بلورات AlN عالية الجودة وكبيرة الحجم باهتمام كبير من الباحثين في الداخل والخارج. حاليًا، يتم تحضير بلورات AlN بطريقة المحلول، والنيترة المباشرة لمعدن الألومنيوم، وتنضيد الطور الغازي للهيدريد، ونقل طور البخار الفيزيائي (PVT). من بينها، أصبحت طريقة PVT هي التكنولوجيا السائدة لزراعة بلورات AlN بمعدل نمو مرتفع (يصل إلى 500-1000 ميكرومتر/ساعة) وجودة بلورية عالية (كثافة خلع أقل من 103 سم 2).

يتم تحقيق نمو بلورات AlN بطريقة PVT عن طريق التسامي ونقل الطور الغازي وإعادة بلورة مسحوق AlN، وتصل درجة حرارة بيئة النمو إلى 2300 درجة مئوية. المبدأ الأساسي لنمو بلورات AlN بطريقة PVT بسيط نسبيًا، كما هو موضح في المعادلة التالية:

2AlN (s) ⥫⥬ 2 Al (g) ＋ N2 (g)

الخطوات الرئيسية لعملية النمو هي كما يلي: (1) تسامي مسحوق AlN الخام؛ (2) نقل مكونات المرحلة الغازية من المواد الخام؛ (3) امتزاز مكونات المرحلة الغازية على سطح النمو؛ (4) الانتشار السطحي والتنوي؛ و (5) عملية الامتزاز [10]. تحت الضغط الجوي القياسي، تبدأ بلورات AlN في التحلل ببطء إلى بخار AlN ونيتروجين عند حوالي 1700 درجة مئوية فقط، ويتكثف تفاعل تحلل AlN بسرعة عندما تصل درجة الحرارة إلى 2200 درجة مئوية.

مادة TaC هي مادة بوتقة نمو بلورات AlN الحقيقية المستخدمة، مع خصائص فيزيائية وكيميائية ممتازة، وموصلية حرارية وكهربائية ممتازة، ومقاومة للتآكل الكيميائي ومقاومة جيدة للصدمات الحرارية، والتي يمكن أن تحسن بشكل فعال كفاءة الإنتاج وعمر الخدمة.

تقدم Semicorex جودة عاليةمنتجات طلاء TaCمع خدمة مخصصة. إذا كانت لديك أي استفسارات أو كنت بحاجة إلى تفاصيل إضافية، فلا تتردد في الاتصال بنا.

هاتف الاتصال رقم +86-13567891907

البريد الإلكتروني: sales@semicorex.com