إنفينيون تكشف عن أول رقاقة GaN للطاقة بحجم 300 مم في العالم

أعلنت شركة Infineon Technologies مؤخرًا عن التطوير الناجح لأول تقنية لرقائق نيتريد الغاليوم (GaN) بقوة 300 مم في العالم. وهذا يجعلها أول شركة تتقن هذه التكنولوجيا الرائدة وتحقق إنتاجًا ضخمًا ضمن بيئات التصنيع الحالية واسعة النطاق وعالية السعة. يمثل هذا الابتكار تقدمًا كبيرًا في سوق أشباه موصلات الطاقة المعتمدة على GaN.

كيف يمكن مقارنة تقنية 300 مم بتقنية 200 مم؟

بالمقارنة مع تقنية 200 مم، فإن استخدام رقائق 300 مم يسمح بإنتاج رقائق GaN أكثر بمقدار 2.3 مرة لكل رقاقة، مما يعزز بشكل كبير كفاءة الإنتاج والإنتاج. لا يؤدي هذا الاختراق إلى تعزيز ريادة Infineon في مجال أنظمة الطاقة فحسب، بل يعمل أيضًا على تسريع التطور السريع لتكنولوجيا GaN.

ماذا قال الرئيس التنفيذي لشركة Infineon عن هذا الإنجاز؟

صرح يوخن هانيبيك، الرئيس التنفيذي لشركة Infineon Technologies، قائلاً: “يُظهر هذا الإنجاز الرائع قوتنا القوية في مجال الابتكار وهو شهادة على الجهود الحثيثة التي يبذلها فريقنا العالمي. نحن نؤمن إيمانًا راسخًا بأن هذا التقدم التكنولوجي سيعيد تشكيل معايير الصناعة ويطلق العنان للإمكانات الكاملة لتقنية GaN. بعد مرور ما يقرب من عام على استحواذنا على GaN Systems، نعرض مرة أخرى تصميمنا على الريادة في سوق GaN سريع النمو. وباعتبارها شركة رائدة في أنظمة الطاقة، اكتسبت شركة Infineon ميزة تنافسية في ثلاث مواد رئيسية: السيليكون، وكربيد السيليكون، وGN.

الرئيس التنفيذي لشركة Infineon، يوخن هانيبيك، يحمل واحدة من أولى رقائق GaN Power بحجم 300 مم في العالم التي يتم إنتاجها في بيئة تصنيع كبيرة الحجم حالية وقابلة للتطوير

لماذا تعتبر تقنية GaN 300 مم مفيدة؟

إحدى المزايا المهمة لتقنية GaN 300 مم هي أنه يمكن إنتاجها باستخدام معدات تصنيع السيليكون الحالية 300 مم، حيث يتشابه GaN والسيليكون في عمليات التصنيع. تسمح هذه الميزة لشركة Infineon بدمج تقنية GaN بسلاسة في أنظمة الإنتاج الحالية، وبالتالي تسريع اعتماد التكنولوجيا وتطبيقها.

أين نجحت شركة Infineon في إنتاج رقائق GaN بحجم 300 مم؟

حاليًا، نجحت شركة Infineon في تصنيع رقائق GaN مقاس 300 مم على خطوط إنتاج السيليكون الحالية مقاس 300 مم في محطة الطاقة التابعة لها في فيلاخ، النمسا. بناءً على الأساس الراسخ لتقنية GaN 200 مم وإنتاج السيليكون 300 مم، قامت الشركة بتوسيع قدراتها التكنولوجية والإنتاجية.

ماذا يعني هذا الاختراق للمستقبل؟

لا يسلط هذا الاختراق الضوء على نقاط القوة التي تتمتع بها شركة Infineon في مجال الابتكار وقدرات الإنتاج واسعة النطاق فحسب، بل يضع أيضًا أساسًا متينًا للتطوير المستقبلي لصناعة أشباه موصلات الطاقة. ومع استمرار تطور تقنية GaN، ستستمر شركة Infineon في دفع نمو السوق، مما يعزز مكانتها الرائدة في صناعة أشباه الموصلات العالمية.**