- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
أخبار
طبقات وركائز السيليكون الفوقي في تصنيع أشباه الموصلات
في الإلكترونيات الحديثة، والإلكترونيات الضوئية، والإلكترونيات الدقيقة، ومجالات تكنولوجيا المعلومات، لا غنى عن ركائز أشباه الموصلات والتقنيات الفوقي. إنها توفر أساسًا متينًا لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات عالية الأداء والموثوقية. مع استمرار تقدم التكنولوجيا، ستتقدم أيضًا ركائز أشباه الموصلات والتقنيات ا......
اقرأ أكثر
التحكم في تعاطي المنشطات في نمو التسامي SiC
يلعب كربيد السيليكون (SiC) دورًا مهمًا في تصنيع إلكترونيات الطاقة والأجهزة عالية التردد نظرًا لخصائصه الكهربائية والحرارية الممتازة. تؤثر جودة بلورات SiC ومستوى المنشطات بشكل مباشر على أداء الجهاز، لذا يعد التحكم الدقيق في المنشطات إحدى التقنيات الرئيسية في عملية نمو SiC.
اقرأ أكثر
تطبيقات مكونات الجرافيت المطلية بـ TaC
في عملية تنمية البلورات المفردة SiC وAlN بواسطة طريقة نقل البخار الفيزيائي (PVT)، تلعب مكونات مثل البوتقة وحامل بلورة البذور وحلقة التوجيه دورًا حيويًا. أثناء عملية تحضير SiC، تقع بلورة البذور في منطقة ذات درجة حرارة منخفضة نسبيًا، بينما تكون المادة الخام في منطقة ذات درجة حرارة عالية تتجاوز 2400 در......
اقرأ أكثر
