رقاقة الركيزة SiC من النوع P

تمتلك Semicorex خط إنتاج كامل من كربيد السيليكون (SiC) ، بما في ذلك ركائز 4H و 6 H مع رقائق شبه عازلة من النوع N و P-type وعالية النقاوة ، ويمكن أن تكون مع أو بدون epitaxy.

تم تصميم رقاقة الركيزة SiC من نوع Semicorex P مع سطح مصقول مزدوج ، مما يضمن التسطيح الفائق وجودة السطح. هذه الميزة ضرورية لضمان ترسيب ثابت ودقيق لمواد أشباه الموصلات أثناء تصنيع الجهاز.

يوفر رقاقة الركيزة SiC من النوع P موصلية كهربائية ممتازة ، مما يجعلها مادة ركيزة مثالية للأجهزة الإلكترونية ذات درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تسمح خصائصه الفريدة بأداء جيد في البيئات القاسية ، بما في ذلك درجات الحرارة المرتفعة والإشعاع العالي والظروف المسببة للتآكل.