بوتقات الجرافيت المغلفة بـ SiC

المثبتة في مركز أفران نمو الكريستال ذات درجة الحرارة العالية،المغلفة كربيد السيليكاتعمل بوتقات الجرافيت جنبًا إلى جنب مع السخانات وأكمام العزل الحراري وأنابيب توجيه التدفق وأعمدة البوتقة لتشكيل نظام المجال الحراري الكامل. يمكن لنظام المجال الحراري هذا الحفاظ على بيئة مستقرة ذات درجة حرارة عالية ضرورية لنمو البلورات.

إنتاج كربيد المغلفةبوتقات الجرافيتيبدأ عادةً باستخدام تقنية ترسيب البخار الكيميائي المتقدمة لترسيب كثيف بشكل موحدكربيد السيليكونطلاء على سطح الركيزة الجرافيت المشكلة. مكون من درجة نقاء عاليةالجرافيتيبدأ عادةً باستخدام تقنية ترسيب البخار الكيميائي المتقدمة لترسيب كثيف بشكل موحد

طريقة Czochralski هي التقنية الصناعية العالمية لنمو البلورات. ستمارس هذه التقنية قوة الطرد المركزي على البوتقة أثناء إنتاج البلورة. يمكن لقوة الانحناء الفائقة والمتانة التي تتميز بها البوتقات المصنوعة من الجرافيت المطلية بـ SiC أن تمنع الكسر أو التشقق أثناء الدوران عالي السرعة، مما يقلل بشكل فعال من انقطاعات الإنتاج الناجمة عن تلف البوتقة. بالإضافة إلى ذلك، تحتاج البوتقات إلى الخضوع لتقلبات حادة في درجات الحرارة خلال فترة زمنية قصيرة خلال هذه العملية. بفضل مقاومتها الرائعة للصدمات الحرارية، يمكن لبوتقات الجرافيت المطلية بـ SiC تقليل الأضرار الهيكلية المرتبطة بالإجهاد الحراري، وضمان استقرار شكلها، وبالتالي تقليل عيوب نمو البلورات الناتجة عن تشوه البوتقة.

في ظل درجات الحرارة المرتفعة، ستشكل بوتقات الجرافيت المطلية بـ SiC طبقة واقية كثيفة من كربيد السيليكون. يمكن لهذه الطبقة الواقية عزل ركيزة الجرافيت عن بخار السيليكون والسيليكون المنصهر، وبالتالي تقليل مخاطر تآكل ركيزة الجرافيت والتلوث البلوري المرتبط بتقشير الطلاء. لذلك، يمكن لبوتقات الجرافيت المطلية بطبقة SiC من Semicorex أن تتحمل بيئات التآكل المعقدة ذات درجات الحرارة العالية لفترات طويلة في التشغيل الفعلي. وهذا يضمن تكوينًا بلوريًا متسقًا ويقلل معدلات العيوب، وكلاهما ضروري لإنتاج بلورات أشباه الموصلات عالية الجودة.