نصف قمر مطلي بـ TaC

يحافظ Halfmoon المطلي بـ Semicorex TaC على سلامته الهيكلية وخموله الكيميائي عند درجات الحرارة المرتفعة (حتى 2200 درجة مئوية) المطلوبة لطبقة SiC. وهذا يضمن أداءً حراريًا ثابتًا ويمنع التفاعلات غير المرغوب فيها مع غازات المعالجة أو المواد المصدرية. ويمكن تصميمه لتحسين التوصيل الحراري والانبعاث، وتعزيز التوزيع الموحد للحرارة عبر سطح المستقبِل. وهذا يؤدي إلى مزيد من الملامح المتجانسة لدرجة حرارة الرقاقة وتحسين التوحيد في سماكة الطبقة الفوقية وتركيز المنشطات. علاوة على ذلك، يمكن تصميم معامل التمدد الحراري لـ Halfmoon المطلي بـ TaC ليتوافق بشكل وثيق مع معامل SiC، مما يقلل من الضغط الحراري أثناء دورات التدفئة والتبريد. وهذا يقلل من انحناء الرقاقة وخطر تكوين العيوب، مما يساهم في زيادة إنتاجية الأجهزة.

تعمل تقنية Halfmoon المطلية بـ TaC على إطالة عمر خدمة مستقبلات الجرافيت بشكل كبير مقارنة بالبدائل غير المطلية/المغلفة بـ SiC. تعمل المقاومة المعززة لترسب SiC والتدهور الحراري على تقليل تكرار دورات التنظيف والاستبدال، مما يقلل تكاليف التصنيع الإجمالية.

فوائد أداء جهاز SiC:

تعزيز موثوقية الجهاز والأداء:يُترجم التجانس المحسن وانخفاض كثافة العيوب في الطبقات الفوقية المزروعة على Halfmoon المطلي بـ TaC إلى إنتاجية أعلى للأجهزة وتحسين الأداء من حيث جهد الانهيار والمقاومة وسرعة التبديل.

حل فعال من حيث التكلفة للتصنيع بكميات كبيرة:يساهم العمر الممتد، وانخفاض متطلبات الصيانة، وتحسين جودة الرقاقة في عملية تصنيع أكثر فعالية من حيث التكلفة لأجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون.

يلعب Halfmoon المطلي بـ Semicorex TaC دورًا حاسمًا في تطوير طبقة SiC من خلال معالجة التحديات الرئيسية المتعلقة بتوافق المواد والإدارة الحرارية وتلوث العمليات. يتيح ذلك إنتاج رقائق SiC عالية الجودة، مما يؤدي إلى أجهزة إلكترونية للطاقة أكثر كفاءة وموثوقية للتطبيقات في السيارات الكهربائية والطاقة المتجددة وغيرها من الصناعات الصعبة.