قارب ويفر أفقي من SiC

السمة المميزة لـ Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat هي بنيتها المشقوقة المصممة بدقة، والمصممة خصيصًا لتثبيت الرقائق في مكانها بشكل آمن خلال مختلف العمليات ذات درجات الحرارة العالية. يخدم هذا القيد الدقيق للرقاقة العديد من الوظائف المهمة:

القضاء على حركة الرقاقة:من خلال منع الانزلاق أو التحول غير المرغوب فيه، يضمن قارب الرقاقة الأفقي SiC التعرض المستمر لغازات المعالجة ودرجات الحرارة، مما يساهم في معالجة الرقاقات بشكل موحد للغاية ويقلل من مخاطر العيوب.

تحسين توحيد العملية:يُترجم تحديد موضع الرقاقة المتسق مباشرةً إلى توحيد فائق في المعلمات الحرجة مثل سماكة الطبقة وتركيزات المنشطات وتشكل السطح. تعتبر هذه الدقة حاسمة بشكل خاص في تطبيقات مثل ترسيب البخار الكيميائي (CVD) وانتشاره، حيث يمكن أن تؤثر الاختلافات الطفيفة بشكل كبير على أداء الجهاز.

تقليل أضرار الرقاقة:يقلل الإمساك الآمن لقارب الويفر الأفقي SiC من احتمالية تقطيع الرقاقة أو كسرها أو خدشها أثناء المناولة والنقل، وهو أمر ضروري للحفاظ على الإنتاجية العالية وتقليل تكاليف التصنيع.

بالإضافة إلى تصميمها الدقيق، يقدم Horizontal SiC Wafer Boat مجموعة رائعة من خصائص المواد التي تجعلها مثالية لتصنيع أشباه الموصلات والخلايا الكهروضوئية:

مقاومة درجات الحرارة القصوى: يُظهر قارب الرقاقة الأفقي SiC قوة واستقرارًا استثنائيين في درجات الحرارة العالية، مما يسمح له بمقاومة الظروف الحرارية القاسية التي تتم مواجهتها أثناء عمليات مثل نمو البلورات والتليين والمعالجة الحرارية السريعة (RTP) دون تشوه أو تدهور.

نقاء عالي للغاية للتحكم في التلوث:يضمن استخدام SiC عالي النقاء الحد الأدنى من إطلاق الغازات أو توليد الجسيمات، مما يحافظ على سلامة أسطح الرقاقات الحساسة ويمنع التلوث الذي قد يؤثر على أداء الجهاز.

الاستقرار الكيميائي الاستثنائي:إن الخمول المتأصل في SiC يجعل القارب الأفقي من SiC عالي المقاومة للهجوم من الغازات المسببة للتآكل والمواد الكيميائية المستخدمة بشكل شائع في تصنيع أشباه الموصلات والخلايا الكهروضوئية. يضمن هذا الاستقرار الكيميائي القوي عمرًا تشغيليًا طويلًا ويقلل من خطر التلوث المتبادل بين عمليات التشغيل.

أدت مزايا تعدد الاستخدامات والأداء التي يتميز بها قارب الويفر الأفقي SiC إلى اعتماده على نطاق واسع في مجموعة من عمليات تصنيع أشباه الموصلات والخلايا الكهروضوئية المهمة:

النمو الفوقي:يعد تحديد موضع الرقاقة بدقة وتوحيد درجة الحرارة أمرًا ضروريًا لتحقيق طبقات فوقية عالية الجودة في أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة، مما يجعل قارب الرقاقة Horizontal SiC أداة أساسية لهذه العملية.

الانتشار وزرع الأيونات:يعد التحكم الدقيق في المنشطات أمرًا بالغ الأهمية في تحديد الخصائص الكهربائية لأجهزة أشباه الموصلات. يضمن قارب الويفر الأفقي SiC تحديد موضع الرقاقة بدقة أثناء هذه العمليات، مما يؤدي إلى تحسين التوحيد وأداء الجهاز.

تصنيع الخلايا الشمسية:إن قدرات درجات الحرارة العالية والمقاومة الكيميائية لقارب الرقاقة الأفقي SiC تجعله مثاليًا لمعالجة رقائق السيليكون المستخدمة في الخلايا الكهروضوئية، مما يساهم في زيادة كفاءة وطول عمر أنظمة الطاقة الشمسية.