- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار الصناعة
GaN وSiC: التعايش أم الاستبدال؟
لقد أصبح الدفع نحو زيادة كثافة الطاقة وكفاءتها هو المحرك الرئيسي للابتكار عبر العديد من الصناعات، بما في ذلك مراكز البيانات، والطاقة المتجددة، والإلكترونيات الاستهلاكية، والمركبات الكهربائية، وتقنيات القيادة الذاتية. في عالم المواد ذات فجوة النطاق الواسعة (WBG)، تعد نيتريد الغاليوم (GaN) وكربيد السي......
اقرأ أكثر
ما هو المجال الحراري؟
في مجال نمو البلورات المفردة، يلعب توزيع درجة الحرارة داخل فرن نمو البلورات دورًا حاسمًا. يعد توزيع درجة الحرارة هذا، والذي يشار إليه عادةً بالمجال الحراري، عاملاً حيويًا يؤثر على جودة وخصائص البلورة التي يتم زراعتها. يمكن تصنيف المجال الحراري إلى نوعين: ثابت وديناميكي.
اقرأ أكثر
التقدم البحثي لطلاءات TaC على أسطح المواد المعتمدة على الكربون
المواد المعتمدة على الكربون مثل الجرافيت، وألياف الكربون، ومركبات الكربون/الكربون (C/C) معروفة بقوتها النوعية العالية، ومعاملها النوعي العالي، وخصائصها الحرارية الممتازة، مما يجعلها مناسبة لمجموعة واسعة من التطبيقات ذات درجات الحرارة العالية . وتستخدم هذه المواد على نطاق واسع في مجال الطيران والهندس......
اقرأ أكثر
ما هي تطبيقات الركيزة نيتريد الغاليوم (GaN)؟
يعد نيتريد الغاليوم (GaN) مادة مهمة في تكنولوجيا أشباه الموصلات، ومعروفة بخصائصها الإلكترونية والبصرية الاستثنائية. GaN، باعتباره أشباه الموصلات ذات فجوة نطاق واسعة، لديه طاقة فجوة نطاق تبلغ حوالي 3.4 فولت، مما يجعله مثاليًا للتطبيقات عالية الطاقة وعالية التردد.
اقرأ أكثر
التحديات التقنية في أفران نمو كريستال كربيد السيليكون
تعتبر أفران نمو بلورات كربيد السيليكون (SiC) حجر الزاوية في إنتاج رقائق SiC. على الرغم من أوجه التشابه مع أفران نمو بلورات السيليكون التقليدية، تواجه أفران SiC تحديات فريدة بسبب ظروف النمو الشديدة للمادة وآليات تكوين العيوب المعقدة. يمكن تصنيف هذه التحديات على نطاق واسع إلى مجالين: النمو البلوري وال......
اقرأ أكثر
