LTOI WEFR

يوفر Semicorex رقاقة LTOI عالية الجودة ، المصممة للتطبيقات المتقدمة في مرشحات RF والأجهزة البصرية وتقنيات MEMS. تتميز رقائقنا بطبقة Tantalate الليثيوم (LT) مع نطاق سمك يتراوح بين 0.3-50 ميكرون ، مما يضمن أداء كهروضوئي استثنائي واستقرار حراري.

متوفرة بأحجام مقاس 6 بوصات و 8 بوصات ، تدعم هذه الرقاقات التوجهات البلورية المختلفة ، بما في ذلك قطع X و Z و Y-42 ، مما يوفر تنوعًا لمتطلبات الأجهزة المختلفة. يمكن تخصيص الركيزة العازلة إلى SI ، SIC ، الياقوت ،

 إسبنيل ، أو الكوارتز ، تحسين الأداء لتطبيقات محددة.

تعد البلورة الليثيوم Tantalate (LT ، LITAO3) مادة بلورية متعددة الوظائف مهمة ذات تأثيرات كهروإجهادية ممتازة ، كهروضوئية ، صوتية ، صوتية و Electro البصرية. يمكن استخدام بلورات LT من الدرجة الصوتية التي تلبي تطبيقات كهروضوئية لإعداد مرنان صوتي عريض النطاق عالي التردد ، ومحولات الطاقة ، وخطوط التأخير ، والمرشحات ، والأجهزة الأخرى ، والتي يتم استخدامها في الاتصالات المتنقلة ، والاتصالات القاتلة ، والرائعة ، والتعاونية ، والتجهيز ، والتجهيز ، والتجهيز ، والضغط على الإرشادات ، والخطوط الإدارية ، والضغط على الإرشادات ، والخطوط الإدارية ، الحقول.

يتم تحضير أجهزة الموجة الصوتية السطحية التقليدية (المنشار) على كتل البلورة المفردة LT ، والأجهزة كبيرة وغير متوافقة مع عمليات CMOS. يعد استخدام الأفلام الكريستالية الرقيقة الكريستالية ذات الأداء العالي الأداء خيارًا جيدًا لتحسين تكامل أجهزة المنشار وخفض التكاليف. لا يمكن لأجهزة المنشار المستندة إلى الأفلام الكريستالية الرقيقة الكهرودية الكهروإجهادية تحسين قدرة تكامل أجهزة المنشار فقط باستخدام مواد أشباه الموصلات كركائز ، ولكن أيضًا تحسين سرعة نقل موجات الصوت عن طريق اختيار ركائز السيليكون عالية السرعة أو الياقوت أو الماس. يمكن لهذه الركائز قمع فقدان الأمواج أثناء الإرسال عن طريق توجيه الطاقة داخل الطبقة الكهروضوئية. لذلك ، فإن اختيار فيلم الكريستال وعملية التحضير الكهروإجهادي الكهروإجهاديين الصحيح هو العامل الرئيسي للحصول على أجهزة المنشار عالية الأداء ومنخفضة التكلفة ومدمجة للغاية.

من أجل تلبية الاحتياجات العاجلة للجيل القادم من الأجهزة الصوتية الكهروضوئية من أجل التكامل ، والتصغير ، والتردد العالي ، وعرض النطاق الترددي الكبير تحت اتجاه تطوير التكامل وتصنيع الوصلات المواجهة للفيلم الجديد ، يمكن أن تكون التكنولوجيا المتمثلة في الإلغاء المتماسك (LT). وحل لتطوير أداء أعلى وأجهزة معالجة إشارة RF منخفضة التكلفة. LTOI هي تقنية ثورية. تتمتع الأجهزة المنشورة القائمة على WTOI Wefer بمزايا الحجم الصغير ، وعرض النطاق الترددي الكبير ، وتردد التشغيل العالي ، وتكامل IC ، ولديها آفاق واسعة في السوق.

يمكن لتكنولوجيا تجريد زرع أيون البلورة (CIS) إعداد مواد فيلم رقيقة من الكريستال ذات الجودة العالية مع سمك الفرع ، ولديها مزايا عملية التحضير القابلة للتحكم ، ومعلمات العملية القابلة للتعديل مثل طاقة زرع الأيونات ، وجرعة الزرع ، ودرجة حرارة الصلب. مع نضوج تقنية CIS ، فإن التكنولوجيا الذكية المقطوعة القائمة على تكنولوجيا رابطة الدول المستقلة وتكنولوجيا الترابط الرقاقة لا يمكنها فقط تحسين عائد مواد الركيزة ، ولكن أيضًا تقليل التكاليف من خلال الاستخدام المتعدد للمواد. الشكل 1 هو رسم تخطيطي لزرع أيون وترابط الرقاقة والتقشير. تم تطوير تقنية Smart-Cut لأول مرة بواسطة Soitec في فرنسا وتطبيقها على تحضير رقائق السيليكون عالية الجودة (SOI) [18]. لا يمكن للتكنولوجيا الذكية التي لا يمكن أن تنتج فقط رقائق SOI عالية الجودة ومنخفضة التكلفة ، ولكن أيضًا تتحكم في سماكة SI على الطبقة العازلة عن طريق تغيير طاقة زرع الأيونات. لذلك ، لديها ميزة قوية في إعداد مواد SOI. بالإضافة إلى ذلك ، تتمتع تقنية Smart-Cut أيضًا بالقدرة على نقل مجموعة متنوعة من الأفلام الكريستالية الفردية إلى ركائز مختلفة. يمكن استخدامه لإعداد مواد أفلام رقيقة متعددة الطبقات مع وظائف وتطبيقات خاصة ، مثل بناء أفلام LT على ركائز SI وإعداد مواد فيلم رقيقة كهروضوئية عالية الجودة على السيليكون (SI). لذلك ، أصبحت هذه التكنولوجيا وسيلة فعالة لإعداد الأفلام الكريستالية المفردة من الليثيوم عالية الجودة.