بيت > منتجات > رقاقة > رقاقة SOI > السيليكون على رقائق عازلة
منتجات
السيليكون على رقائق عازلة
  • السيليكون على رقائق عازلةالسيليكون على رقائق عازلة

السيليكون على رقائق عازلة

إن Semicorex Silicon الموجود على الرقائق العازلة عبارة عن مواد أشباه موصلات متقدمة تتيح الأداء الفائق وتقليل استهلاك الطاقة وتعزيز قابلية تطوير الجهاز. يضمن اختيار رقائق SOI من Semicorex حصولك على منتجات عالية الجودة ومصممة بدقة، مدعومة بخبرتنا والتزامنا بالابتكار والموثوقية والجودة.*

إرسال استفسار

وصف المنتج

تعد رقائق Semicorex Silicon-on-Insulator مادة أساسية في تطوير أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة، مما يوفر مجموعة من المزايا التي لا يمكن تحقيقها مع رقائق السيليكون السائبة القياسية. يتكون السيليكون الموجود على الرقائق العازلة من بنية ذات طبقات يتم فيها فصل طبقة سيليكون رفيعة وعالية الجودة عن السيليكون السائب الأساسي بواسطة طبقة عازلة، مصنوعة عادةً من ثاني أكسيد السيليكون (SiO₂). يتيح هذا التكوين تحسينات كبيرة في السرعة وكفاءة الطاقة والأداء الحراري، مما يجعل السيليكون الموجود على الرقائق العازلة مادة أساسية للتطبيقات عالية الأداء ومنخفضة الطاقة في صناعات مثل الإلكترونيات الاستهلاكية والسيارات والاتصالات السلكية واللاسلكية والفضاء.


هيكل وتصنيع رقاقة SOI

تم تصميم هيكل السيليكون الموجود على رقائق العازل بعناية لتحسين أداء الجهاز مع معالجة قيود رقائق السيليكون التقليدية. عادةً ما يتم تصنيع السيليكون الموجود على الرقائق العازلة باستخدام إحدى التقنيتين الرئيسيتين: الفصل عن طريق زرع الأكسجين (SIMOX) أو تقنية Smart Cut™.

● طبقة السيليكون العلوية:هذه الطبقة، والتي يشار إليها غالبًا بالطبقة النشطة، هي طبقة سيليكون رفيعة وعالية النقاء يتم تصنيع الأجهزة الإلكترونية فيها. ويمكن التحكم بدقة في سمك هذه الطبقة لتلبية متطلبات تطبيقات محددة، والتي تتراوح عادة من بضعة نانومترات إلى عدة ميكرونات.

● طبقة الأكسيد المدفونة (الصندوق):طبقة BOX هي المفتاح لأداء رقائق SOI. تعمل طبقة ثاني أكسيد السيليكون هذه بمثابة عازل، حيث تعزل طبقة السيليكون النشطة عن الركيزة السائبة. فهو يساعد على تقليل التفاعلات الكهربائية غير المرغوب فيها، مثل السعة الطفيلية، ويساهم في تقليل استهلاك الطاقة وزيادة سرعات التبديل في الجهاز النهائي.

 ● الركيزة السيليكون:يوجد أسفل طبقة BOX ركيزة السيليكون السائبة، والتي توفر الاستقرار الميكانيكي اللازم لمعالجة الرقاقات ومعالجتها. على الرغم من أن الركيزة نفسها لا تشارك بشكل مباشر في الأداء الإلكتروني للجهاز، إلا أن دورها في دعم الطبقات العليا يعد أمرًا بالغ الأهمية للسلامة الهيكلية للرقاقة.


من خلال استخدام تقنيات التصنيع المتقدمة، يمكن تصميم السماكة والتوحيد الدقيق لكل طبقة وفقًا للاحتياجات المحددة لتطبيقات أشباه الموصلات المختلفة، مما يجعل رقائق SOI قابلة للتكيف بدرجة كبيرة.


الفوائد الرئيسية لرقائق السيليكون على العازل


يوفر الهيكل الفريد للسيليكون على الرقائق العازلة العديد من المزايا مقارنة برقائق السيليكون التقليدية، خاصة من حيث الأداء وكفاءة الطاقة وقابلية التوسع:


أداء محسّن: يعمل السيليكون الموجود على الرقائق العازلة على تقليل السعة الطفيلية بين الترانزستورات، مما يؤدي بدوره إلى نقل أسرع للإشارة وسرعات إجمالية أعلى للجهاز. يعد تعزيز الأداء هذا مهمًا بشكل خاص للتطبيقات التي تتطلب معالجة عالية السرعة، مثل المعالجات الدقيقة والحوسبة عالية الأداء (HPC) ومعدات الشبكات.


استهلاك أقل للطاقة: يعمل السيليكون الموجود على الرقائق العازلة على تمكين الأجهزة من العمل بجهد كهربائي منخفض مع الحفاظ على الأداء العالي. يعمل العزل الذي توفره طبقة BOX على تقليل تيارات التسرب، مما يسمح باستخدام أكثر كفاءة للطاقة. وهذا يجعل رقائق SOI مثالية للأجهزة التي تعمل بالبطارية، حيث تعد كفاءة الطاقة أمرًا بالغ الأهمية لإطالة عمر البطارية.


تحسين الإدارة الحرارية: تساهم الخصائص العازلة لطبقة BOX في تحسين تبديد الحرارة والعزل الحراري. ويساعد ذلك على منع النقاط الساخنة وتحسين الأداء الحراري للجهاز، مما يسمح بتشغيل أكثر موثوقية في البيئات عالية الطاقة أو درجات الحرارة العالية.


قابلية توسع أكبر: مع تقلص أحجام الترانزستور وزيادة كثافات الأجهزة، يقدم السيليكون الموجود على الرقائق العازلة حلاً أكثر قابلية للتطوير مقارنةً بالسيليكون السائب. تسمح التأثيرات الطفيلية المنخفضة والعزلة المحسنة بوجود ترانزستورات أصغر وأسرع، مما يجعل رقائق SOI مناسبة تمامًا لعقد أشباه الموصلات المتقدمة.


تقليل تأثيرات القناة القصيرة: تساعد تقنية SOI على تخفيف تأثيرات القناة القصيرة، والتي يمكن أن تؤدي إلى انخفاض أداء الترانزستورات في أجهزة أشباه الموصلات ذات الحجم الكبير. العزل الذي توفره طبقة BOX يقلل من التداخل الكهربائي بين الترانزستورات المجاورة، مما يتيح أداء أفضل في الأشكال الهندسية الأصغر.


مقاومة الإشعاع: مقاومة الإشعاع المتأصلة للسيليكون على الرقائق العازلة تجعلها مثالية للاستخدام في البيئات التي يكون فيها التعرض للإشعاع مصدر قلق، كما هو الحال في تطبيقات الفضاء والدفاع والتطبيقات النووية. تساعد طبقة BOX على حماية طبقة السيليكون النشطة من الأضرار الناجمة عن الإشعاع، مما يضمن التشغيل الموثوق به في الظروف القاسية.


تعد رقائق Semicorex المصنوعة من السيليكون على العازل مادة رائدة في صناعة أشباه الموصلات، حيث توفر أداءً لا مثيل له وكفاءة في استهلاك الطاقة وقابلية للتوسعة. مع استمرار نمو الطلب على الأجهزة الأسرع والأصغر والأكثر كفاءة في استخدام الطاقة، تستعد تقنية SOI للعب دور متزايد الأهمية في مستقبل الإلكترونيات. في Semicorex، نحن ملتزمون بتزويد عملائنا برقائق SOI عالية الجودة التي تلبي المتطلبات الصارمة للتطبيقات الأكثر تقدمًا اليوم. إن التزامنا بالتميز يضمن أن السيليكون الموجود على الرقائق العازلة لدينا يوفر الموثوقية والأداء المطلوب للجيل القادم من أجهزة أشباه الموصلات.




الكلمات الساخنة: السيليكون على رقائق العازل، الصين، المصنعين، الموردين، المصنع، حسب الطلب، السائبة، المتقدمة، دائم
الفئة ذات الصلة
إرسال استفسار
لا تتردد في تقديم استفسارك في النموذج أدناه. سوف نقوم بالرد عليك خلال 24 ساعة.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept