- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
أخبار
الجرافيت المسامي لنمو كريستال SiC عالي الجودة بطريقة PVT
برز كربيد السيليكون (SiC) باعتباره مادة رئيسية في مجال تكنولوجيا أشباه الموصلات، حيث يقدم خصائص استثنائية تجعله مرغوبًا للغاية لمختلف التطبيقات الإلكترونية والإلكترونية الضوئية. يعد إنتاج بلورات SiC المفردة عالية الجودة أمرًا بالغ الأهمية لتعزيز قدرات الأجهزة مثل إلكترونيات الطاقة ومصابيح LED والأجه......
اقرأ أكثر
3 طرق صب الجرافيت
أربع طرق صب رئيسية لقولبة الجرافيت هي: القولبة بالبثق، والقولبة، والقولبة الاهتزازية، والقولبة المتساوية الضغط. يتم تشكيل معظم مواد الكربون/الجرافيت الشائعة في السوق عن طريق البثق والقولبة على الساخن (بارد أو ساخن)، والقولبة المتوازنة هي طريقة ذات أداء قولبة رائد. يستخدم قولبة الاهتزاز بشكل عام لتصن......
اقرأ أكثر
ما هو الجرافيت متساوي الضغط؟
الجرافيت المتخصص هو جرافيت بنسبة كتلة كربون أكبر من 99.99%، ويُعرف أيضًا باسم "ثلاثة جرافيت عالي" (قوة عالية، كثافة عالية، درجة نقاء عالية). يتميز بالقوة العالية والكثافة العالية والنقاء العالي والثبات الكيميائي العالي والتوصيل الحراري والكهربائي العالي ومقاومة درجات الحرارة العالية ومقاومة الإشعاع ......
اقرأ أكثر
إدخال النقل المادي للبخار (PVT)
تحدد خصائص SiC الخاصة أن نمو البلورة الفردية أكثر صعوبة. نظرًا لغياب الطور السائل Si: C = 1: 1 عند الضغط الجوي، لا يمكن استخدام عملية النمو الأكثر نضجًا التي يتبناها التيار الرئيسي لصناعة أشباه الموصلات لتنمية طريقة السحب المستقيمة الأكثر نضجًا، والبوتقة الهابطة طريقة وطرق أخرى للنمو. بعد الحسابات ا......
اقرأ أكثر
تم إطلاق منتجات GaN HEMT الفوقي عالية الطاقة بقدرة 850 فولت
في نوفمبر 2023، أصدرت Semicorex منتجات الفوقي GaN-on-Si بقدرة 850 فولت لتطبيقات أجهزة الطاقة HEMT عالية الجهد والتيار العالي. بالمقارنة مع الركائز الأخرى لأجهزة الطاقة HMET، يتيح GaN-on-Si أحجامًا أكبر من الرقاقات وتطبيقات أكثر تنوعًا، ويمكن أيضًا إدخاله بسرعة في عملية شرائح السيليكون السائدة في الم......
اقرأ أكثر
