مستقبل Epi-SiC

يعتبر Semicorex Epi-SiC Susceptor بمثابة التقاء القدرة على التحمل لدرجات الحرارة العالية، والخمول الكيميائي، والانتشار الحراري الفائق، وهو يمثل نموذجًا للمرونة والكفاءة في مواجهة الظروف المكثفة المرادفة لمساعي النمو الفوقي. يؤدي تطبيق طلاء SiC إلى زيادة الخصائص الحرارية لـ Epi-SiC Susceptor بشكل كبير. يسهّل هذا التحسين التوزيع الحراري الموحد الضروري لتسخين الرقائق، وهو أمر محوري لترسيب طبقات فوقية متسقة وعالية الجودة عبر رقائق أشباه الموصلات.

تم تصميم Epi-SiC Susceptor خصيصًا لتلبية المتطلبات الصارمة للعمليات الفوقية للرقائق، وهو يدعم النقل السلس للرقائق داخل بيئة الفرن. يعد تصميمها القوي بمثابة حصن ضد إزاحة الرقاقة أو التنازل عنها، وبالتالي التخفيف من حدوث الضرر خلال المراحل الحرجة من تطور الطبقة الفوقي. بالإضافة إلى ذلك، يعمل جهاز Epi-SiC Susceptor كحاجز وقائي لركيزة الجرافيت تحتها، ويحميها من التفاعلات الكيميائية والتآكل الذي قد تحدثه العمليات الفوقي.

إن دمج نواة الجرافيت المرنة مع طبقة SiC الواقية لا يعزز فقط مقاييس أداء Epi-SiC Susceptor ولكن أيضًا يطيل عمره الصالح للخدمة بشكل كبير. والنتيجة هي استثمار يحقق أرباحًا في شكل وفورات تشغيلية مستدامة لمؤسسات إنتاج أشباه الموصلات، مما يضع Epi-SiC Susceptor كخيار حكيم لأولئك الذين يتطلعون إلى تحسين عمليات التصنيع الخاصة بهم.