مستقبلات كربيد السيليكون

توفر شركة Semicorex خدمات عملية طلاء SiC بطريقة CVD على سطح الجرافيت والسيراميك والمواد الأخرى، مثل Silicon Carbide Epitaxy Susceptor، بحيث تتفاعل الغازات الخاصة التي تحتوي على الكربون والسيليكون عند درجة حرارة عالية للحصول على جزيئات SiC عالية النقاء، والجزيئات المترسبة على سطح المواد المطلية، وتشكيل طبقة واقية SIC. يتم ربط SIC المتكون بقوة بقاعدة الجرافيت، مما يمنح قاعدة الجرافيت خصائص خاصة، مما يجعل سطح الجرافيت مضغوطًا وخاليًا من المسامية ومقاومًا لدرجات الحرارة العالية ومقاومة التآكل ومقاومة الأكسدة.
تم تصميم جهاز Epitaxy Susceptor الخاص بنا من كربيد السيليكون لتحقيق أفضل نمط لتدفق الغاز الصفحي، مما يضمن تساوي المظهر الحراري. وهذا يساعد على منع انتشار أي تلوث أو شوائب، مما يضمن نموًا فوقيًا عالي الجودة على شريحة الويفر.
اتصل بنا اليوم لمعرفة المزيد عن جهاز Epitaxy Susceptor الخاص بنا من كربيد السيليكون.

معلمات قابلية الفوقية من كربيد السيليكون

ملامح كربيد السيليكون Epitaxy Susceptor

- تتمتع كل من طبقة الجرافيت وطبقة كربيد السيليكون بكثافة جيدة ويمكن أن تلعب دورًا وقائيًا جيدًا في درجات الحرارة المرتفعة وبيئات العمل المسببة للتآكل.
- المستقبِل المطلي بكربيد السيليكون المستخدم لنمو البلورة المفردة له سطح مسطح عالي جدًا.
- تقليل الفرق في معامل التمدد الحراري بين طبقة الجرافيت وطبقة كربيد السيليكون، وتحسين قوة الترابط بشكل فعال لمنع التشقق والتصفيح.
- تتمتع كل من طبقة الجرافيت وطبقة كربيد السيليكون بموصلية حرارية عالية وخصائص ممتازة لتوزيع الحرارة.
- نقطة انصهار عالية، مقاومة الأكسدة في درجات الحرارة العالية، مقاومة للتآكل.