GaN Epitaxy الناقل

يتفوق حامل Semicorex GaN Epitaxy Carrier في نقل الرقاقات بشكل آمن داخل الفرن بينما تم تصميمه للعمليات الفوقي للرقاقات. يعد GaN Epitaxy Carrier أمرًا ضروريًا لتحقيق أغشية رقيقة عالية الجودة وقابلة للتكرار وطبقات فوقية ضرورية لإنتاج الأجهزة الإلكترونية والإلكترونية الضوئية المتقدمة.

تم تعزيز الركيزة الجرافيتية لحامل GaN Epitaxy Carrier باستخدام طلاء كربيد السيليكون (SiC) المتطور لترسيب البخار الكيميائي (CVD). يتم تطبيق طبقة SiC بدقة عبر ترسيب البخار الكيميائي، مما يوفر حماية قوية ضد التفاعلات الكيميائية والتآكل أثناء عملية التنضيد. بالإضافة إلى ذلك، تعمل طبقة SiC الخاصة بـ GaN Epitaxy Carrier على تحسين الخصائص الحرارية للحامل، مما يسهل التسخين الفعال والموحد للرقائق. يعد هذا التسخين الموحد أمرًا حيويًا لإنتاج طبقات فوقية متسقة وعالية الجودة على رقائق أشباه الموصلات.

يعد Semicorex GaN Epitaxy Carrier، القابل للتخصيص ليناسب مجموعة متنوعة من أحجام رقائق أشباه الموصلات، حلاً متعدد الاستخدامات لاحتياجات الإنتاج المتنوعة. سواء كانت هناك حاجة إلى أحجام أو أشكال أو سماكات طلاء معينة، يتعاون فريقنا مع العملاء لتطوير حل يلبي مواصفاتهم الدقيقة ويحسن الأداء لتطبيقاتهم الفريدة.