- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
أخبار
سيراميك SiC: المادة التي لا غنى عنها للمكونات عالية الدقة في تصنيع أشباه الموصلات
إن تصنيع أشباه الموصلات، وهو حجر الزاوية في التقدم التكنولوجي الحديث، يسعى باستمرار إلى إنشاء دوائر متكاملة أصغر وأسرع وأكثر كفاءة. يدفع هذا السعي الدؤوب إلى الحاجة إلى عمليات تصنيع دقيقة ومتطورة بشكل متزايد، حيث تعتمد كل خطوة بشكل كبير على معدات عالية الأداء وعالية الجودة والدقة. يلعب كربيد السيليك......
اقرأ أكثر
إزالة الغموض عن تقنية تشاك الكهرباء الساكنة (ESC) في التعامل مع الرقاقات
أصبحت الطبطبات الكهروستاتيكية (ESCs) لا غنى عنها في تصنيع أشباه الموصلات وإنتاج شاشات العرض المسطحة، مما يوفر طريقة خالية من التلف ويمكن التحكم فيها بدرجة كبيرة لحمل الرقائق والركائز الدقيقة ووضعها أثناء خطوات المعالجة الحرجة. تتعمق هذه المقالة في تعقيدات تكنولوجيا ESC، وتستكشف مبادئ عملها، وآليات ا......
اقرأ أكثر
التغاير المتغاير لـ 3C-SiC: نظرة عامة
إن تطوير 3C-SiC، وهو نوع متعدد هام من كربيد السيليكون، يعكس التقدم المستمر في علم مواد أشباه الموصلات. في الثمانينات، نيشينو وآخرون. تم تحقيق أول فيلم 3C-SiC بسمك 4 ميكرومتر على ركيزة من السيليكون باستخدام ترسيب البخار الكيميائي (CVD)[1]، مما وضع الأساس لتقنية الأغشية الرقيقة 3C-SiC.
اقرأ أكثر
