المستقبلات الفوقي المغلفة بـ SiC

أشباه الموصلاتركائزلا يمكن وضعها مباشرة على القاعدة في معدات MOCVD أو CVD أثناء الترسيب الفوقي بسبب تأثير العوامل الحاسمة المتعددة، بما في ذلك اتجاه تدفق الغاز (الأفقي والرأسي)، ودرجة الحرارة، والضغط، وتثبيت الركيزة، والتلوث بالجسيمات. لهذا السبب، يلزم وضع المستقبلات الفوقي في مركز غرفة التفاعل في أنظمة MOCVD/CVD لدعم وتأمين ركائز أشباه الموصلات، وبالتالي منع تدهور جودة النمو الفوقي الناجم عن الاهتزاز أو الإزاحة الموضعية.

يتم استخدام الجرافيت عالي النقاء كمادة مصفوفة لـ Semicorexالمستقبلات الفوقي المغلفة بـ SiC، مع طلاء كربيد السيليكون المترسب على سطحها بواسطة تقنيات الأمراض القلبية الوعائية المتقدمة. تعتبر المستقبلات الفوقية المطلية بـ SiCorex هي المكونات التي لا غنى عنها في عملية تكوين الطبقة الفوقي. ويتمثل دورها الأساسي في توفير بيئة تشغيل مستقرة ويمكن التحكم فيها لنمو الطبقات الفوقية على ركائز أشباه الموصلات، والتي يمكنها بالتالي ضمان اتساق جودة سطح الرقاقة.

خصائص المستقبلات الفوقي المغلفة بـ Semicorex SiC

1. مقاومة متميزة لدرجات الحرارة العالية لتحمل ظروف التشغيل حتى 1600 درجة مئوية.

2. الموصلية الحرارية العالية، وتوفير نقل الحرارة السريع للحفاظ على توزيع درجة الحرارة موحدة على ركائز أشباه الموصلات.

3. مقاومة قوية للتآكل الكيميائي لمقاومة التدهور الكيميائي والتآكل، وتجنب تلوث العمليات للركائز والطبقات الفوقي.

4. مقاومة فائقة للصدمات الحرارية لتجنب حدوث تشقق الطلاء وتصفيحه.

5. تسطيح سطحي استثنائي، يتناسب بشكل مريح مع الركائز مما يقلل من الفجوات والعيوب.

6. عمر خدمة أطول، مما يقلل الوقت والخسائر الاقتصادية الناجمة عن استبدال الأجزاء وصيانتها.

تطبيقات المستقبلات الفوقي المغلفة بـ Semicorex SiC

مع العديد من المزايا الممتازة، تلعب المستقبلات الفوقي المطلية بـ SiCorex دورًا محوريًا في تسهيل النمو الموحد والقابل للتحكم للأغشية الرقيقة الفوقي ويتم تطبيقها على نطاق واسع في عملية النمو الفوقي لأشباه الموصلات.

1.GaN النمو الفوقي

2.SiC النمو الفوقي

3.Si النمو الفوقي