جهاز استقبال متعدد الجيب SiC

أساس Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor هو الجرافيت الخواص عالي النقاء، المشهور بثباته الحراري ومقاومته للصدمات الحرارية. يتم تعزيز هذه المادة الأساسية بشكل أكبر من خلال تطبيق طلاء SiC المودع بـ CVD والذي يتم التحكم فيه بدقة. يوفر هذا المزيج تآزرًا فريدًا من الخصائص:

مقاومة كيميائية لا مثيل لها:تُظهر الطبقة السطحية من SiC مقاومة استثنائية للأكسدة والتآكل والهجوم الكيميائي حتى في درجات الحرارة المرتفعة الملازمة لعمليات النمو الفوقي. يضمن هذا الخمول أن يحافظ جهاز SiC Multi Pocket Susceptor على سلامته الهيكلية وجودة سطحه، مما يقلل من مخاطر التلوث ويضمن عمر تشغيلي ممتد.

استقرار وتوحيد حراري استثنائي:يضمن الاستقرار المتأصل للجرافيت المتناحي، إلى جانب طلاء SiC الموحد، توزيعًا موحدًا للحرارة عبر سطح المستقبِل. يعد هذا التوحيد أمرًا بالغ الأهمية في تحقيق درجات حرارة متجانسة عبر الرقاقة أثناء النضوج، مما يترجم مباشرة إلى نمو بلوري فائق وتوحيد الفيلم.

تعزيز كفاءة العملية:تساهم متانة وطول عمر جهاز SiC Multi Pocket Susceptor في زيادة كفاءة العملية. يُترجم تقليل وقت التوقف عن العمل للتنظيف أو الاستبدال إلى إنتاجية أعلى وتكلفة إجمالية أقل للملكية، وهي عوامل حاسمة في بيئات تصنيع أشباه الموصلات كثيرة المتطلبات.

تترجم الخصائص المتفوقة لـ SiC Multi Pocket Susceptor مباشرة إلى فوائد ملموسة في تصنيع الرقائق الفوقي:

تحسين جودة الرقاقة:يساهم تعزيز توحيد درجة الحرارة والخمول الكيميائي في تقليل العيوب وتحسين جودة البلورة في الطبقة الفوقي. وهذا يترجم مباشرة إلى تحسين الأداء وإنتاجية أجهزة أشباه الموصلات النهائية.

زيادة أداء الجهاز:تعد القدرة على تحقيق تحكم دقيق في ملفات تعريف المنشطات وسمك الطبقة أثناء النضوج أمرًا بالغ الأهمية لتحسين أداء الجهاز. تتيح المنصة المستقرة والموحدة التي يوفرها SiC Multi Pocket Susceptor للمصنعين إمكانية ضبط خصائص الجهاز لتطبيقات محددة.

تمكين التطبيقات المتقدمة:مع توجه صناعة أشباه الموصلات نحو تصميم أجهزة أصغر حجمًا وبنيات أكثر تعقيدًا، يستمر الطلب على الرقائق الفوقية عالية الأداء في الارتفاع. يلعب Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor دورًا حاسمًا في تمكين هذه التطورات من خلال توفير المنصة اللازمة للنمو الفوقي الدقيق والمتكرر.