قرص الاستقبال

مصنوع من الجرافيت عالي النقاء ومغطى بطبقة من كربيد السيليكون (SiC) باستخدام تقنية MOCVD، ويجمع قرص Semicorex Susceptor Disc بين الخصائص الحرارية الاستثنائية والثبات الكيميائي الرائع. يضمن طلاء كربيد السيليكون مقاومة ممتازة لدرجات الحرارة المرتفعة والظروف المسببة للتآكل، وهو أمر ضروري للحفاظ على سلامة قرص Susceptor في البيئات الصعبة.

بالإضافة إلى ذلك، يعمل طلاء SiC الموجود على قرص Susceptor على تعزيز التوصيل الحراري، مما يسمح بتوزيع سريع ومتساوي للحرارة وهو أمر ضروري للنمو الفوقي المتسق. إنه يمتص الحرارة ويشعها بكفاءة، مما يوفر درجة حرارة ثابتة وموحدة ضرورية لترسيب الأغشية الرقيقة. يعد هذا التوحيد أمرًا حيويًا لتحقيق طبقات فوقية عالية الجودة، والتي تعتبر أساسية لوظيفة وأداء أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة.

يعالج تصميم القرص Susceptor أيضًا تحدي التمدد الحراري. يضمن الحد الأدنى من معامل التمدد الحراري وجود رابطة قوية مع الطبقات الفوقية، مما يقلل من خطر التشقق بسبب التدوير الحراري. تتيح هذه الميزة، إلى جانب نقطة الانصهار العالية لقرص Susceptor Disc ومقاومة الأكسدة الممتازة، تشغيلًا موثوقًا به في ظل الظروف القاسية.

بفضل هذه الخصائص المتقدمة، لا يلبي قرص Susceptor Disc المتطلبات الصارمة لتطبيقات MOCVD الحديثة فحسب، بل يتجاوزها أيضًا، مما يوفر حلاً موثوقًا وعالي الأداء يعزز الكفاءة الإجمالية ومخرجات عملية النمو الفوقي.