6 "حاملي الرقاقة

تم تصميم حاملي الرقاقة Semicorex 6 "على وجه التحديد لتلبية المتطلبات الصعبة لعمليات النمو الفوقي SIC (سيليكون). المصممة للاستخدام في بيئات عالية الحرارة ، وبيئات تفاعلية كيميائية ، توفر هذه الحوامل ثباتًا ميكانيكيًا فائقًا ، وتوحيدًا حراريًا ، وموثوقية العملية ، مما يجعلها مكونًا أساسيًا للتطبيقات المتقدمة للبتاكسي.

أثناء عملية تصنيع الويفر ، تحتاج بعض ركائز الرقاقة إلى زيادة بناء طبقات الحالة الفوقية لتسهيل تصنيع الأجهزة. تشمل الأمثلة النموذجية أجهزة تأليف LED الباعثة ، والتي تتطلب تحضير طبقات GaAs الفائقة على ركائز السيليكون ؛ تزرع الطبقات الفوقية الشديدة على ركائز SIC موصلة لإنشاء أجهزة مثل SBDs و MOSFETs لتطبيقات الطاقة العالية والتيار وغيرها من تطبيقات الطاقة ؛ يتم إنشاء طبقات GAN الفائقة على ركائز SIC شبه المخللة لزيادة بناء HEMT والأجهزة الأخرى للاتصالات وتطبيقات الترددات الراديوية الأخرى. هذه العملية لا تنفصل عن معدات CVD.

في معدات الأمراض القلبية الوعائية ، لا يمكن وضع الركيزة مباشرة على المعدن أو ببساطة على قاعدة للترسب الفوقي ، لأنها تتضمن عوامل مختلفة مثل اتجاه تدفق الغاز (الأفقي ، العمودي) ، ودرجة الحرارة ، والضغط ، والتثبيت ، والسقوط. لذلك ، هناك حاجة إلى قاعدة ، ثم يتم وضع الركيزة على علبة ، ثم يتم إجراء ترسبات ثنائية على الركيزة باستخدام تقنية CVD. هذه القاعدةكذا المغلفةقاعدة الجرافيت (6 "حاملي الرقاقة).

يتم تحسين حاملي الويفر 6 "لإدارة حرارية ممتازة ، مما يضمن توزيع الحرارة الموحدة عبر سطح الرقاقة. وهذا ينتج عنه توحيد طبقة محسّن ، وتقليل كثافة العيوب ، وتعزيز العائد العام أثناء النمو الفوقي الكيب. يستوعب التصميم التثبيت الدقيق للسكن والمواءمة ، وتقليل توليد الجسيمات والتوتر الميكانيكي الذي يمكن أن يؤثر على جودة الجهاز النهائي.

سواء كنت تجري بحثًا وتطويرًا أو إنتاجًا واسع النطاق لأجهزة الطاقة المستندة إلى SIC ، فإن حاملي الرقاقة لدينا يوفرون الأداء القوي والموثوقية اللازمة لزيادة كفاءة العملية إلى الحد الأقصى. ونحن نقدم أيضًا خدمات التخصيص لتكييف تصميم الحامل مع معلمات النظام الفريدة الخاصة بك ، مما يساعدك على تحقيق أعلى المعايير في إنتاج الذراع الفضل.